HIP6014CB-T 时间：2025/12/26 21:03:18 阅读：10

HIP6014CB-T是一款由Intersil（现为Renesas Electronics）生产的同步降压PWM控制器，专为满足高性能微处理器和数字信号处理器的供电需求而设计。该芯片支持单相BUCK拓扑结构，能够提供精确、高效的直流电压转换，适用于需要低电压、大电流输出的应用场景。HIP6014CB-T采用先进的控制架构，具备快速瞬态响应能力，能够在负载剧烈变化时维持输出电压的稳定，从而保障敏感数字电路的正常运行。该器件集成了多种保护功能，如过流保护、过压保护和欠压锁定，提升了系统的可靠性与安全性。其封装形式为TSSOP-20，具有良好的热性能和空间利用率，适合在高密度PCB布局中使用。此外，HIP6014CB-T支持可编程软启动、可调开关频率以及栅极驱动自举功能，增强了设计灵活性。由于其出色的动态性能和稳定性，该芯片广泛应用于服务器、工作站、网络通信设备以及高端嵌入式系统中的核心电源管理模块。尽管该型号已逐步进入停产周期，但在工业控制和维修替换市场中仍具有一定的应用价值。

参数

工作输入电压范围：4.5V 至 28V
　　启动电压阈值：典型值 4.75V
　　静态电流：典型值 10mA
　　待机电流：小于 100μA
　　输出电压调节范围：1.3V 至 5.5V
　　电压反馈精度：±1%（常温下）
　　PWM开关频率：可调范围 100kHz 至 1MHz
　　频率设定方式：通过外部电阻设置
　　驱动输出能力：图腾柱驱动，可驱动上下管MOSFET
　　自举电容支持：支持高边MOSFET栅极驱动
　　误差放大器带宽：典型值 8MHz
　　瞬态响应时间：典型值 <50μs
　　过流保护方式：峰值电流检测
　　封装形式：TSSOP-20
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

HIP6014CB-T采用电压模式PWM控制架构，结合高增益误差放大器，实现对输出电压的精密调节。其内部集成的振荡器允许通过外部电阻精确设定开关频率，范围覆盖100kHz至1MHz，使设计者可根据效率、滤波器尺寸和EMI要求进行优化选择。控制器具备双路图腾柱驱动输出，分别用于驱动同步整流电路中的上管和下管MOSFET，有效降低导通损耗，提升整体转换效率。芯片内置自举二极管，简化了高边驱动电源的设计，减少了外部元件数量。
　　HIP6014CB-T具备快速瞬态响应能力，这得益于其高带宽误差放大器（8MHz）和快速PWM比较器的协同工作。当负载电流发生突变时，控制器能迅速调整占空比，将输出电压波动控制在最小范围内，确保微处理器等敏感负载的稳定运行。该芯片支持可编程软启动功能，通过外接电容设定启动时间，避免启动过程中产生过大的浪涌电流，保护电源系统和负载设备。
　　在保护机制方面，HIP6014CB-T集成了全面的安全特性。它通过检测下管MOSFET的导通压降或外部分流电阻上的电压来实现过流保护，一旦检测到异常电流，立即关闭驱动输出，防止损坏功率器件。同时，芯片还具备过压保护（OVP）和欠压锁定（UVLO）功能，确保在输入电压异常或反馈环路故障时系统安全关断。其工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适用于严苛的工业环境。此外，TSSOP-20封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能，有助于提高系统长期运行的可靠性。

应用

HIP6014CB-T主要用于为高性能微处理器、DSP、ASIC和FPGA等数字集成电路提供核心供电电源。典型应用场景包括台式计算机主板上的CPU供电模块、服务器电源系统、网络路由器和交换机中的板载DC-DC转换器，以及工业控制设备中的嵌入式处理器供电方案。由于其支持低至1.3V的输出电压和高达数十安培的输出电流能力，特别适合用于构建单相同步整流BUCK变换器，满足现代数字芯片对低电压、大电流、高效率电源的需求。
　　在通信设备中，HIP6014CB-T可用于基站信号处理单元的电源设计，为其FPGA和DSP提供稳定的内核电压。在测试测量仪器和医疗电子设备中，该芯片也被用于构建高精度、低噪声的电源轨，确保模拟和数字混合信号系统的正常运行。此外，由于其具备良好的瞬态响应和稳定性，也适用于需要频繁启停或负载波动较大的便携式高性能计算设备。尽管随着多相控制器的发展，单相方案在超高电流场景下的应用有所减少，但HIP6014CB-T仍在中等功率、成本敏感型设计中保持其价值。