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IRLMS6802TRPBF 发布时间 时间:2025/4/29 17:27:25 查看 阅读:2

IRLMS6802TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的逻辑电平 N 沣道沟道功率 MOSFET。这款器件采用 SO-8 封装,专为低导通电阻和高效率应用设计。其低阈值电压使其非常适合电池供电设备和需要低功耗的系统。
  该器件广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域,例如负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:19nC(典型值)
  输入电容:1420pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:SO-8

特性

IRLMS6802TRPBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力(高达 42A 连续漏极电流),支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
  4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),保证在极端环境下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 低栅极电荷和输入电容,简化驱动电路设计并降低驱动功耗。

应用

IRLMS6802TRPBF 可用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
  3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
  5. 汽车电子中的各种功率控制功能,如启动电机控制或 LED 照明驱动。
  6. 高效电源管理和配电网络中的功率转换组件。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDMQ8203

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IRLMS6802TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 5.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1079pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
  • 供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLMS6802PBFTR