您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HHV1206R7332K101NTHJ

HHV1206R7332K101NTHJ 发布时间 时间:2025/7/1 4:08:58 查看 阅读:9

HHV1206R7332K101NTHJ 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和功率转换应用。其额定电压为 1200V,适用于需要高耐压能力的电路设计。此外,该型号具备出色的热性能和可靠性,适合在恶劣环境下工作。

参数

最大漏源电压:1200V
  最大连续漏极电流:6A
  栅极阈值电压:3V 至 4V
  导通电阻(典型值):0.73Ω
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

HHV1206R7332K101NTHJ 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压(1200V),使其能够承受高压环境。
  2. 低导通电阻(0.73Ω 典型值),有助于降低传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和其他高频功率转换场景。
  4. 出色的热稳定性,允许在高温条件下可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,确保环保要求。
  6. 封装紧凑,便于安装和集成到各种设计中。

应用

HHV1206R7332K101NTHJ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的高频开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理。
  5. 各种工业控制设备中的功率调节模块。
  6. LED 照明系统的恒流驱动电路。
  由于其高耐压和低损耗特性,这款 MOSFET 特别适合需要高效能量转换和稳定性能的应用场景。

替代型号

HHV1206R7332K101NTBG, IRFP460PBF

HHV1206R7332K101NTHJ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价