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HHV1206R7104K101NSLJ 发布时间 时间:2025/7/3 9:13:04 查看 阅读:10

HHV1206R7104K101NSLJ 是一款基于硅基技术的高压功率MOSFET,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用TO-263封装,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适合需要高效能和高可靠性的电力电子设计。
  该芯片的工作电压高达650V,能够承受较高的瞬态电压,同时其快速开关特性可以降低开关损耗,提高整体系统效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源极电压:650V
  连续漏极电流:7.1A
  导通电阻:0.44Ω
  栅极电荷:29nC
  输入电容:1350pF
  最大功耗:20W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

HHV1206R7104K101NSLJ 提供了出色的电气性能和可靠性,以下是其主要特性:
  1. 高耐压能力:该器件支持高达650V的漏源极电压,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为0.44Ω,从而降低了传导损耗并提高了效率。
  3. 快速开关速度:较低的栅极电荷(29nC)和优化的内部结构使器件具备更快的开关速度,进而减少开关损耗。
  4. 高电流处理能力:连续漏极电流可达7.1A,可满足大多数中高功率应用的需求。
  5. 宽工作温度范围:能够在-55℃至+150℃的环境下正常运行,适应极端温度条件下的使用需求。
  6. 封装优势:TO-263封装形式提供了良好的散热性能和易于集成的设计特点。

应用

HHV1206R7104K101NSLJ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器以及工业电源等场景,利用其高效的开关特性。
  2. 电机驱动:可用于控制小型直流电机或步进电机,提供精确的速度和扭矩调节。
  3. DC-DC转换器:在汽车电子、通信设备和其他需要稳定电压输出的应用中发挥重要作用。
  4. 能量管理系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等领域,用于提升能源利用效率。
  5. 工业自动化:在各种工业控制电路中实现精准的电力传输与分配。

替代型号

IRF840, STP75NF06L, FQP16N60

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