时间：2025/8/13 22:39:03
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BAT54RALT1 是一款由ON Semiconductor生产的双P沟道增强型MOSFET，常用于需要低电压操作和高效率的便携式电子设备中。该器件采用6引脚SC-74封装，具有低导通电阻、低栅极电荷和良好的热稳定性，适用于负载开关、电源管理、电池供电设备等应用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-100mA（@ VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（@ VGS = -10V）
栅极电荷（QG）：2.5nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SC-74, 6引脚
BAT54RALT1 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率；低栅极电荷，使得器件在高频开关应用中表现良好；宽泛的工作温度范围确保其在恶劣环境下仍能稳定工作。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够有效防止因温度升高而导致的性能下降。其6引脚SC-74封装形式体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。
该器件还具备出色的可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的电源管理与控制。此外，BAT54RALT1 的设计使其在低电压应用中表现优异，支持3.3V、5V等常见电源系统的稳定运行。
BAT54RALT1 主要用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理电路、负载开关、电池保护电路等。此外，它也广泛应用于工业控制系统、汽车电子模块、DC-DC转换器以及各类低功耗电子产品中。由于其良好的热稳定性和高频响应能力，该器件特别适合需要高效能和小尺寸封装的应用场景。
SI2302DS-T1-GE3, FDC6303, BSS84LT1
