时间：2025/7/4 19:15:57
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HMJ107BB7472KAHT 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该型号主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器等场景，能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围(Topr)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
HMJ107BB7472KAHT 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），仅为2.5毫欧姆，这有助于减少传导损耗，并提升整体效率。
此外，该器件支持高达50安培的连续漏极电流，结合出色的散热性能，非常适合用于高功率密度的应用环境。
它的快速开关能力可以有效降低开关损耗，从而优化高频操作下的表现。另外，其工作温度范围宽广，从-55摄氏度到+175摄氏度，确保在极端条件下也能稳定运行。
该MOSFET广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
3. 工业自动化中的逆变器和转换器
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)与电驱控制
5. 高效DC-DC转换模块
这些应用场景充分利用了其低损耗和高可靠性的优势。
HMJ107BB7472LAHT, HMJ107BA7472KAHT, IRF540N
