HMJ107BB7472KAHT 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该型号主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器等场景,能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围(Topr):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247-3
HMJ107BB7472KAHT 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),仅为2.5毫欧姆,这有助于减少传导损耗,并提升整体效率。
此外,该器件支持高达50安培的连续漏极电流,结合出色的散热性能,非常适合用于高功率密度的应用环境。
它的快速开关能力可以有效降低开关损耗,从而优化高频操作下的表现。另外,其工作温度范围宽广,从-55摄氏度到+175摄氏度,确保在极端条件下也能稳定运行。
该MOSFET广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
3. 工业自动化中的逆变器和转换器
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)与电驱控制
5. 高效DC-DC转换模块
这些应用场景充分利用了其低损耗和高可靠性的优势。
HMJ107BB7472LAHT, HMJ107BA7472KAHT, IRF540N