您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HHV1206R7102K102NSLJ

HHV1206R7102K102NSLJ 发布时间 时间:2025/7/2 15:37:28 查看 阅读:10

HHV1206R7102K102NSLJ 是一款高压 MOSFET 芯片,适用于高电压应用场合。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

参数

型号:HHV1206R7102K102NSLJ
  封装形式:TO-252
  额定电压:600V
  额定电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:19nC
  开关频率:最高可达 500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  结电容:42pF

特性

HHV1206R7102K102NSLJ 的主要特性包括:低导通电阻设计,可有效降低功率损耗;高开关速度,能够支持高频应用;内置 ESD 保护电路,增强了器件的抗静电能力;出色的热性能,确保在高温环境下仍能稳定工作;符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  此外,该芯片具有良好的电气隔离性能,能够承受较高的反向电压冲击,同时具备较强的过流保护功能,适合用于需要高可靠性的工业领域。

应用

HHV1206R7102K102NSLJ 主要应用于以下场景:开关电源(SMPS)中的主开关管;LED 驱动电路中的功率开关;DC-DC 转换器中的同步整流管;太阳能逆变器中的功率开关;电机驱动电路中的 H 桥或半桥开关;各种高电压、大电流电子设备中的功率控制元件。

替代型号

IRF840, STP12NM60, FDP12N60E

HHV1206R7102K102NSLJ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价