时间：2025/6/30 10:59:29
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HH21N820G101CT是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高电流处理能力，同时具有快速开关速度，能够显著提升系统效率。
这款MOSFET在设计上注重了功率密度与热性能优化，适合于高频率、高效率的应用场景，如DC-DC转换器、LED驱动器以及电池管理系统等。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=65ns, toff=95ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
HH21N820G101CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达820V的工作电压，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻，在高电流条件下减少功率损耗，提高效率。
3. 快速的开关速度降低了开关损耗，特别适合高频应用。
4. 出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持良好的性能。
5. 强大的短路保护能力，提高了系统的可靠性。
6. 小型封装设计，有助于节省电路板空间。
HH21N820G101CT主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. LED照明驱动电路
3. 电动工具及家电中的电机控制
4. 电池保护与管理
5. 汽车电子中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. DC-DC转换器和其他高效能功率转换应用
IRF820,
STP820N,
FDP820,
ON Semiconductor's FDD820
