时间：2025/8/5 6:43:39
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GS3140-INE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为高速数据存储和访问应用设计。该芯片采用先进的CMOS技术制造，提供低功耗和高可靠性，适用于网络设备、通信系统和工业控制等高性能计算环境。
类型：SRAM
容量：4Mbit（256K x 16）
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-TFPBGA
数据保持电压：1.5V
最大工作频率：100MHz
GS3140-INE3 是一款高性能异步SRAM，具有低功耗、高速访问和宽工作温度范围的特点。其10ns的访问时间使其适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，提高了在不同系统环境下的适应性。此外，GS3140-INE3 还具备数据保持功能，在电源电压降至1.5V时仍可保持数据完整性，适合用于需要长期数据保持的应用。
这款SRAM芯片采用54-TFPBGA封装，节省空间，适用于高密度电路设计。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行，适用于工业自动化、通信基础设施和网络设备等应用领域。
GS3140-INE3 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中，如网络交换机、路由器、通信基站、工业控制系统、测试测量设备以及嵌入式系统。其低功耗和高稳定性也使其适用于便携式电子设备和电池供电系统。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, IS61LV25616-10B4B
