时间：2025/6/16 9:13:18
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HH21N470G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率开关器件，采用增强型 GaN FET 结构。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，适合用于高频电源转换、DC-DC 转换器、逆变器以及高效能电源管理等应用。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和散热优化。
这款 GaN 器件通过先进的工艺设计，在效率、功率密度和热性能方面表现出显著优势，同时简化了电路设计并降低了整体系统成本。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：47A
导通电阻：45mΩ
栅极驱动电压：4.5V 至 6V
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
开关频率：高达 5MHz
输入电容：1300pF
反向恢复时间：无（内部结构决定）
HH21N470G500CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率，适用于高频应用场景。
3. 内部集成保护机制，如过流保护和短路保护功能，确保可靠性。
4. 更小的寄生电感和电容，减少开关噪声并改善EMI表现。
5. 高温适应性，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 表面贴装封装，简化 PCB 设计并提升生产效率。
7. 兼容传统硅基 MOSFET 的驱动条件，方便直接替换或升级现有设计。
HH21N470G500CT 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器，例如服务器电源、通信设备电源和电动汽车充电模块。
2. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器及工业电源。
3. 电机驱动器，尤其是需要高效率和快速响应的应用场景。
4. 无线充电设备中的谐振拓扑。
5. 太阳能微型逆变器及其他可再生能源相关产品。
6. 数据中心供电单元和分布式电源架构中的关键组件。
HGH21N470G500CT, GG21N470G500CT
