时间：2025/6/29 13:02:44
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HH21N470G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
HH21N470G101CT 的封装形式为 TO-220，便于散热设计，并且其电气性能参数经过严格筛选，确保在高温环境下依然保持稳定的性能。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
HH21N470G101CT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为 600V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值仅为 0.18Ω，在大电流应用中能有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容使其具备快速的开关速度，适合高频开关电路。
4. 宽工作温度范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中稳定运行，适应各种恶劣条件。
5. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，包括雪崩能力和热循环测试等。
HH21N470G101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源：用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等场景。
2. 电机驱动：适用于家用电器、工业设备中的无刷直流电机控制。
3. 负载切换：用于汽车电子、通信设备中的负载切换功能。
4. 保护电路：可用于过流保护、短路保护等电路设计。
5. 高压逆变器：支持太阳能逆变器、UPS 等高压逆变系统。
IRFZ44N, STP20NF50
