时间：2025/7/2 13:48:01
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FN03N1R5B500PLG是一款高性能的氮化镓（GaN）功率晶体管，采用先进的封装技术设计。该器件适用于高频开关应用，能够显著提升电源转换效率和功率密度。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，广泛用于数据中心电源、电动汽车充电设备和工业电源等领域。
FN03N1R5B500PLG的结构设计使其能够在高频率下保持较低的开关损耗，同时具备出色的热性能，以适应严苛的工作环境。
额定电压：650V
导通电阻：1.5mΩ
最大漏极电流：28A
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无（GaN特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高效的氮化镓技术，提供卓越的开关性能和低导通损耗。
2. 极低的导通电阻（1.5mΩ），适合大电流应用。
3. 高速开关能力，支持MHz级工作频率。
4. 内置ESD保护电路，增强系统可靠性。
5. 小型化封装设计，有助于减少PCB空间占用。
6. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境条件。
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GN04N1R6C650PQGA, HX03N1R5D650PLGA
