HH21N3R9B101CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和控制场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:9A
导通电阻:3.5mΩ
总栅极电荷:45nC
输入电容:1050pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
HH21N3R9B101CT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
3. 高电流处理能力(9A 连续漏极电流),使其能够在高负载条件下稳定运行。
4. 较宽的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下仍能保持可靠性。
5. 封装为标准 TO-220,便于安装和散热设计。
6. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的抗静电能力。
这些特性使得 HH21N3R9B101CT 成为各种功率转换和电机驱动应用的理想选择。
HH21N3R9B101CT 可用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
由于其出色的性能和可靠性,这款芯片特别适合对效率和热管理有严格要求的应用场景。
IRF3205, FDP150N06L, AO3400A