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HH21N3R9B101CT 发布时间 时间:2025/7/9 8:37:07 查看 阅读:7

HH21N3R9B101CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和控制场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:3.5mΩ
  总栅极电荷:45nC
  输入电容:1050pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

HH21N3R9B101CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力(9A 连续漏极电流),使其能够在高负载条件下稳定运行。
  4. 较宽的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下仍能保持可靠性。
  5. 封装为标准 TO-220,便于安装和散热设计。
  6. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的抗静电能力。
  这些特性使得 HH21N3R9B101CT 成为各种功率转换和电机驱动应用的理想选择。

应用

HH21N3R9B101CT 可用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统中的充放电控制。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
  由于其出色的性能和可靠性,这款芯片特别适合对效率和热管理有严格要求的应用场景。

替代型号

IRF3205, FDP150N06L, AO3400A

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HH21N3R9B101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.13984卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-