时间：2025/5/7 20:07:35
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BZ-XBH361-TR9是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源转换、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。它适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。
型号：BZ-XBH361-TR9
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：36A
导通电阻：1.8mΩ（典型值）
总功耗：150W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
BZ-XBH361-TR9的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持高达36A的连续漏极电流。
4. 具备优异的热稳定性，允许在高温条件下正常工作。
5. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
这些特点使得BZ-XBH361-TR9成为各种高效功率转换应用的理想选择。
BZ-XBH361-TR9主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 工业设备中的电机驱动电路。
3. 电动工具和家用电器中的直流无刷电机控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种负载开关和保护电路。
BZ-XBH361-TR9凭借其出色的电气性能和可靠性，在上述应用场景中表现出色。
BZ-XBH360-TR9
BZ-XBH362-TR9
IRF3205
FDP55N06L
