BUK7225-55A,118是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理和开关应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术,提供了卓越的导通和开关性能。其主要设计目的是在高频率开关电路中实现高效能、低损耗的功率转换。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):55V
连续漏极电流(Id):70A(在Tc=25°C时)
漏源导通电阻(Rds(on)):约4.5mΩ(典型值,具体取决于栅极电压)
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Ptot):130W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-220AB
BUK7225-55A,118具备多项优异特性,包括极低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低了导通损耗,提高系统效率。由于采用TrenchMOS技术,该器件在高频率开关应用中表现出色,适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、负载开关以及电机控制等应用。此外,该MOSFET具备优异的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下稳定工作。
这款MOSFET还具备较强的抗雪崩能力,能够承受瞬时过电压冲击,从而提高了器件的可靠性。其封装形式为TO-220AB,具有良好的散热性能,便于安装在标准散热器上,适用于高功率密度设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。
BUK7225-55A,118广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可用于高效能功率转换,以减少能量损耗。它也适用于直流-直流转换器,特别是在高电流应用中,如服务器电源、工业控制系统和电信设备。此外,该MOSFET还可用于负载开关电路,实现对高功率负载的高效控制。在电机控制应用中,它能够提供快速的开关响应和稳定的性能,适用于无刷直流电机(BLDC)和伺服电机等应用。
BUK7K52-55B,118; BUK7K67-55A,118