时间：2025/6/25 23:56:38
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HH21N160G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适用于多种电源管理应用。它广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。
HH21N160G101CT 的设计目标是提供卓越的性能与可靠性，同时减少系统功耗并提高效率。其封装形式通常为行业标准封装，方便集成到各种电路中。
漏源击穿电压：160V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：0.17Ω
栅极电荷：30nC
输入电容：420pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-220
HH21N160G101CT 具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：高达 160V 的漏源击穿电压使其能够在较高电压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：0.17Ω 的 Rds(on) 减少了传导损耗，从而提高了整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容保证了器件能够以高频运行，适合开关电源和其他高频应用场景。
4. 高温适应性：支持高达 175°C 的工作结温，增强了在严苛环境下的可靠性。
5. 稳定性和耐用性：经过严格测试，确保长期使用的稳定性。
6. 封装兼容性：采用 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
HH21N160G101CT 可应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类工业控制设备中的功率切换。
6. 汽车电子中的电源管理和电机控制。
7. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFZ44N
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FQP50N06L
