类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FMU04N50G具备多项优异性能，首先其采用了富士电机独有的超级结（Super Junction）结构，显著降低了导通损耗，同时提高了器件的耐压能力。该结构还使得MOSFET在高压应用中保持高效率，特别适合用于高功率密度的开关电源设计。
　　其次，FMU04N50G的低导通电阻（Rds(on)）可减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其Rds(on)在Vgs=10V时最大为2.5Ω，确保在中等电流应用中具备良好的性能表现。
　　此外，该MOSFET具有快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升整体电源转换效率。其栅极电荷（Qg）较低，便于驱动电路设计，适用于高频开关应用。
　　在封装方面，TO-252（DPAK）封装具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，适合在自动化生产线上使用。该封装形式也便于散热设计，确保器件在高负载条件下的稳定运行。
　　最后，FMU04N50G具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下长时间工作，保证系统的可靠性。

FMU04N50G广泛应用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、电池充电器、LED照明驱动电源、太阳能逆变器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压和高效率特性，该器件也适用于高可靠性要求的家电和工业设备中。

FMU04N50C、FQA4N50C、K2544、TK2P50X、2SK2544