时间：2025/6/29 13:56:24
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HH21N121G101CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效功率转换应用设计。该器件采用了先进的GaN工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，能够在高频条件下实现高效的功率转换。其封装形式通常为表面贴装或符合工业标准的引脚封装，便于在现代电力电子系统中的集成。
该型号适合用于电源适配器、快充设备、DC-DC转换器以及无线充电等场景，能够显著提高系统的功率密度并降低热损耗。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：9A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-40℃至+105℃
HH21N121G101CT具有出色的高频性能，得益于GaN材料的高电子迁移率特性，其开关频率可以达到数MHz级别。同时，该器件具备极低的导通电阻和寄生电容，这使得它在功率转换应用中能够减少开关损耗和传导损耗。
此外，该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，通过了严格的电气和环境测试，适用于各种严苛的工作条件。其紧凑的封装形式也使其非常适合空间受限的应用场景。
HH21N121G101CT主要应用于消费类电子产品的快充方案中，例如USB-PD充电器、笔记本电脑适配器等。此外，它也可用于工业级DC-DC转换器、LED驱动电源、通信电源模块以及无线充电设备等领域。
由于其高频特性和高效率，该器件非常适合需要小型化和轻量化设计的功率转换系统。同时，在电动汽车的车载充电机（OBC）及辅助电源模块中也有潜在应用价值。
HH21N121G102CT, HH21N100G101CT
