时间：2025/6/22 14:19:35
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HH21N100J500CT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等领域。其采用先进的工艺技术制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和可靠性。
HH21N100J500CT的工作电压高达100V，能够在高负载条件下保持稳定的性能。同时，它还具有极低的栅极电荷和输出电容，使得开关损耗最小化，非常适合对能效要求较高的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：3000pF
总电容：4500pF
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关过程中的能量损失。
3. 高雪崩能力，确保在异常条件下仍能正常运行。
4. 具备强大的热稳定性，在高温环境下也能维持稳定性能。
5. 小型封装设计，节省PCB空间，便于紧凑型产品设计。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 太阳能逆变器
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8. 通信电源模块
9. 各类高频功率变换器
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