时间：2025/6/26 0:00:59
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HH18N8R2B101LT是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于工业控制、变频器、逆变电源以及电机驱动等领域。该模块采用先进的沟槽栅技术与场截止技术，具有低导通损耗和开关损耗的特点，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
HH18N8R2B101LT内部集成了多个IGBT单元，并且优化了芯片布局以降低寄生电感，从而提升了整体性能。此外，它还支持高速开关操作并兼容多种保护功能，例如过流关断和短路耐受等。
额定电压：1200V
额定电流：50A
集电极-发射极饱和电压：≤2.0V
门极阈值电压：4~6V
总功耗：300W
工作温度范围：-40℃~150℃
封装形式：SEMI2PACK
2B10）技术，这使得其在高频
2. 模块设计紧凑，内置热敏电阻，便于实时监测温度状态。
3. 高效的散热结构确保长期运行下的稳定性。
4. 提供快速恢复二极管选项，进一步减少反向恢复损耗。
5. 支持高达20kHz的开关频率，满足现代电力电子设备的需求。
6. 经过严格的老化测试，保证产品的一致性和可靠性。
HH18N8R2B101LT适用于以下领域：
1. 工业变频器及伺服驱动系统。
2. 新能源汽车中的电机控制器。
3. 光伏逆变器和风能转换系统。
4. UPS不间断电源和其他高效电源解决方案。
5. 焊接设备和感应任何需要高效率功率转换的应用场景。
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