时间：2025/6/26 0:00:12
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HH18N820J500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大电路中。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，广泛应用于电源管理、电机驱动和消费类电子设备中。
这款MOSFET属于N沟道增强型，采用TO-263封装形式，适合表面贴装技术（SMT）应用。其高效率和可靠性使其成为许多设计中的理想选择。
漏源击穿电压：820V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：75nC
导通电阻：0.18Ω
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
HH18N820J500CT具备以下关键特性：
1. 高电压耐受能力，能够承受高达820V的漏源击穿电压。
2. 低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，适用于高频应用。
4. 强大的电流处理能力，支持最高18A的连续漏极电流。
5. TO-263封装提供良好的散热性能和机械稳定性。
6. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下保持稳定运行。
该MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 电池保护和管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率调节。
6. 照明系统，如LED驱动器。
IRFP460,
FDP18N80,
STP18NF80,
IXFN18N80T
