时间：2025/6/29 13:09:40
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HH18N7R5C500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，主要应用于高功率开关电路、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统效率并降低功耗。
HH18N7R5C500CT 的封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适用于工业级和汽车级应用环境。
额定电压：75V
额定电流：500A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：120nC
最大工作温度：175°C
封装类型：TO-247
HH18N7R5C500CT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (1.8mΩ)，能够在大电流应用中显著减少功耗。
2. 快速开关能力，适合高频开关电源及 DC-DC 转换器。
3. 高电流承载能力 (500A)，适用于高功率密度的设计。
4. 具备优秀的热性能，可确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子领域。
6. 提供卓越的电气可靠性和机械稳定性。
HH18N7R5C500CT 广泛应用于多种高功率场景，包括但不限于：
1. 工业电机驱动和控制系统。
2. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
3. 新能源汽车中的牵引逆变器和车载充电器。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换设备。
5. 大功率 LED 驱动器和照明系统。
6. 各种高电流开关应用，如负载切换和保护电路。
IRFP2907ZPBF
FDP18N75E
CSD18534KCS
