时间：2025/7/9 8:36:20
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HH18N5R6D500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和逆变器等领域。该器件采用增强型设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少热损耗。
该型号属于高性能 GaN 场效应晶体管（FET），其封装形式为行业标准的表面贴装类型，适合自动化生产和高密度电路设计。得益于先进的半导体工艺，HH18N5R6D500CT 在耐压能力、可靠性和成本控制之间实现了良好的平衡。
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：5A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率范围：最高可达3MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
1. 高效性能：HH18N5R6D500CT 的导通电阻仅为 18mΩ，可有效降低传导损耗，从而提升整体效率。
2. 快速开关能力：得益于 GaN 材料的优异特性，该器件的开关频率可以达到 3MHz，非常适合高频应用环境。
3. 热稳定性强：即使在高温环境下，HH18N5R6D500CT 依然能保持稳定的电气性能，确保系统的长期可靠性。
4. 小尺寸封装：TO-252 封装不仅节省空间，还支持高效的热传导设计，进一步优化散热表现。
5. 宽温范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度范围使其适用于各种极端条件下的电子设备。
HH18N5R6D500CT 主要用于需要高效率和高频工作的电力电子设备中，典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具驱动电路
5. 数据中心供电模块
6. 消费类电子产品中的充电器与适配器
HH18N6R5D500CT, HHL18N5R6D550CT
