时间：2025/5/22 23:55:02
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G6QN1G960M2RE-J 是一款由东芝（Toshiba）生产的高可靠性 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和负载开关应用。其封装形式为 DPAK（TO-263），能够提供卓越的散热性能以满足高效能需求。
该 MOSFET 的设计重点在于优化效率和降低功耗，因此非常适合工业控制、汽车电子、通信电源以及消费类电子产品中的 DC/DC 转换器和电机驱动电路。此外，它还支持大电流操作，并能在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：58A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1660pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：DPAK（TO-263）
G6QN1G960M2RE-J 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，能够实现高频运行，从而减小外部元件尺寸。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 宽泛的工作温度范围使其适用于恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保与可持续性。
这些特性使得 G6QN1G960M2RE-J 成为需要高性能和高可靠性的应用场合的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC/DC 转换器中的主开关或同步整流器件。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
4. 通信基础设施中的功率分配网络。
5. 消费类电子产品中的快速充电适配器和 LED 照明驱动。
G6QN1G960M2RE-J 的大电流承载能力和高效性能特别适合于对功率密度和热管理要求较高的场景。
G6QN1G960M2RE-H, G6QN1G960M2RE-K
