时间：2025/7/10 1:09:28
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HH18N5R6C101LT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，具备出色的开关特性和热性能。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 LFPAK 或者类似的表面贴装形式，具有较高的电流处理能力和较低的寄生电感，适合需要高效率和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：3.9mΩ
栅极电荷：27nC
输入电容：1080pF
反向传输电容：125pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
开关频率：高达 2MHz
HH18N5R6C101LT 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低导通损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，尤其适合高频应用。
3. 小巧的封装设计，能够节省 PCB 空间，同时支持高效的热传导。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 宽泛的工作温度范围，使其可以在极端环境下稳定运行。
HH18N5R6C101LT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器及同步整流电路中的主开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的无刷直流电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 汽车电子系统中的各种功率管理模块。
6. LED 驱动器以及其他需要高效功率转换的场合。
IRLR7846PBF, AO4404, FDP16N06L
