制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：QDR? II+
　　存储容量：8 Mbit (512K × 16)
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　工作频率：高达 200 MHz
　　访问时间：2.5 ns
　　数据速率：400 Mbps（DDR）
　　时钟类型：差分（K/K#）
　　输入/输出逻辑：SSTL_2 I/O 标准
　　封装类型：165-ball Fine-Pitch BGA (11×15 mm)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　引脚数：165
　　存储器格式：SRAM
　　接口类型：同步、双端口
　　最大工作电流：约 500 mA（典型值）
　　待机电流：≤ 50 mA

CY7C1460AV33-200AXC 具备多项先进特性，使其成为高性能通信系统中理想的高速缓存解决方案。首先，其 QDR? II+ 架构支持独立的读写数据路径，允许在一个时钟周期内同时完成一次读操作和一次写操作，极大提高了数据吞吐能力。这种真正的双倍数据速率设计特别适用于需要高并发数据处理的应用，如网络交换机中的包缓冲、路由器的数据队列管理以及视频处理系统的帧缓存等场景。其次，该器件采用了差分时钟输入（K/K#），有效增强了时钟信号的抗干扰能力，确保在高频下仍能保持稳定的时序性能。此外，差分 DQS（Data Strobe）信号用于源同步数据捕获，使得控制器能够精确地对齐读取数据，简化了 PCB 布局中的时序匹配要求。
　　该芯片支持可编程的突发长度（通常为 2、4 或 8）和可配置的 CAS 延迟，使系统设计者可以根据实际需求调整性能与功耗之间的平衡。内部集成的终端电阻（On-Die Termination, ODT）减少了对外部终端电阻的需求，不仅节省了板空间，还改善了信号反射问题，提升了高速信号完整性。输出驱动强度也可调节，适应不同负载条件下的最佳驱动能力。CY7C1460AV33-200AXC 还具备低功耗待机模式，在系统空闲时自动降低电流消耗，延长设备使用寿命并减少散热压力。所有控制信号均与时钟同步，避免了异步操作带来的不确定性，提升了系统的可靠性。最后，该器件符合 RoHS 环保标准，采用无铅封装工艺，适用于现代绿色电子产品制造要求。

CY7C1460AV33-200AXC 主要应用于需要极高带宽和低延迟的通信与网络设备中。最常见的应用场景是高性能网络交换机和核心路由器，其中该 SRAM 被用作数据包缓冲区或查找表缓存，支持线速转发和复杂流量管理功能。在电信基础设施中，例如光传输网络（OTN）、同步数字体系（SDH）和波分复用（WDM）系统，该芯片可用于实时信元或帧的暂存与调度，保障服务质量（QoS）。此外，在无线基站（如 4G LTE 和 5G NR 前传单元）中，它也常被用于基带处理模块的数据交换，满足严格的时延和吞吐量要求。
　　在数据中心和企业级服务器领域，CY7C1460AV33-200AXC 可作为 FPGA 或 ASIC 的高速协处理器缓存，加速数据预处理和协议解析任务。视频广播设备，如高清视频切换台、编码器和解码器，利用其快速读写能力进行帧缓冲和图像拼接操作。测试与测量仪器，如高速逻辑分析仪和协议分析仪，也依赖此类 SRAM 实现大容量、高速数据采集与回放。由于其出色的信号完整性和稳定性，该器件同样适用于军事通信系统、航空航天电子系统以及高端工业自动化控制平台中的关键数据存储节点。

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　　 "CY7C1460BV33-200AXC",
　　 "CY7C1461AV33-200AXC",
　　 "CY7C1462AV33-200AXC"
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