时间：2025/6/25 20:15:14
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HH18N5R1B500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于多种电力电子设备中的功率转换与控制。
该型号属于大功率 MOSFET 系列，广泛应用于开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等场景中。其出色的电气性能使其能够满足高效率和高可靠性的系统需求。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.05Ω
栅极电荷（典型值）：75nC
总电容（输入电容）：1250pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HH18N5R1B500CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：该 MOSFET 的漏源极额定电压高达 500V，可承受较高的反向电压，适合用于高压环境。
2. 大电流处理能力：其连续漏极电流为 18A，在重载条件下仍能保持稳定运行。
3. 极低导通电阻：典型的导通电阻仅为 0.05Ω，从而降低了传导损耗并提高了系统的整体效率。
4. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得该器件具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗。
5. 高可靠性：经过严格的质量控制流程生产，确保在各种恶劣工况下的长期可靠性。
6. 广泛的工作温度范围：支持从 -55°C 到 +150°C 的结温区间，适应性强。
HH18N5R1B500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提供高效稳定的电力输出。
2. 工业电机驱动：用作逆变器或控制器中的功率开关元件，实现精确的速度和方向控制。
3. 可再生能源系统：例如太阳能微逆变器和风力发电机组件中的功率调节。
4. 电动汽车充电设备：作为核心功率开关，支持快速充电功能。
5. 通用负载切换和保护电路：利用其强大的电流承载能力和快速响应特点来管理复杂电路中的负载状态。
IRFP460, STP18NF50, FQA18N50C
