时间：2025/7/10 12:38:49
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HH18N561J500CT 是一款高性能的 N 治道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用 TO-220 封装，具备高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
型号：HH18N561J500CT
封装形式：TO-220
额定电压：500V
额定电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
最大功耗：135W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
HH18N561J500CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达 500V 的电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为 0.18Ω，在大电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷 (45nC) 和开关时间，有助于提高效率并降低电磁干扰。
4. 高可靠性：采用先进的制造工艺，确保在极端温度条件下的稳定运行。
5. 大电流承载能力：支持最高 18A 的连续电流，满足高功率需求 封装：便于安装，并提供良好的散热性能。
HH18N561J500CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：包括 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动：用于家用电器、工业设备中的电机控制。
3. 逆变器：如太阳能逆变器和不间断电源 (UPS)。
4. 过流保护电路：为电子设备提供过流保护功能。
5. 电池管理系统 (BMS)：适用于电动车和其他储能系统。
6. 工业自动化设备：例如变频器和伺服控制器。
IRF540N, STP18NF50, FQP18N50
