型号：HH18N4R7B500
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID @25°C）：18A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：4.7Ω
　　阈值电压（Vth min）：2V
　　阈值电压（Vth max）：4V
　　输入电容（Ciss）：1600pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：450pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220/TO-247

HH18N4R7B500采用了先进的沟槽式MOSFET结构设计，结合场截止层技术，实现了在500V耐压等级下的超低导通电阻，典型值仅为4.7mΩ，这显著降低了在高电流工作条件下的导通损耗，提高了整体系统的能效水平。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为65nC，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有助于简化驱动电路设计并减少功耗。同时，其输入电容和输出电容经过优化匹配，确保了快速且稳定的开关响应，减少了开关过程中的能量损耗。
　　该MOSFET具备出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不被击穿，增强了在恶劣工况下的鲁棒性。其热阻特性优良，结到壳的热阻（RθJC）低至0.8°C/W，配合适当的散热器可长时间稳定运行于高负载状态。温度对导通电阻的影响较小，在150°C高温下RDS(on)的增长幅度控制在200%以内，保证了高温环境下的持续高效工作。
　　器件还集成了一个高性能的体二极管，具有较短的反向恢复时间（trr约55ns），从而降低了反向恢复过程中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统在感性负载切换时的安全性和稳定性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和有害卤素，适用于绿色电子产品设计。其封装形式采用标准TO-220或TO-247，便于自动化装配和手工焊接，并具备良好的机械强度与绝缘性能。

HH18N4R7B500广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源模块以及工业用开关电源设备。由于其高耐压与低导通电阻的特性，特别适合用于连续导通模式（CCM）的PFC（功率因数校正）升压变换器中作为主开关管，有效降低传导损耗并提高整机效率。在DC-DC变换器拓扑中，如半桥、全桥或LLC谐振转换器中，该器件可用于实现高效的能量传输与电压调节。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于中小功率的BLDC（无刷直流电机）或PMSM（永磁同步电机）控制器中，承担相位切换与PWM调速功能，凭借其快速开关能力和良好的热稳定性，可在频繁启停和变载工况下保持可靠运行。此外，在LED恒流驱动电源中，常作为主控开关元件用于隔离式反激（Flyback）或正激（Forward）拓扑结构，支持宽输入电压范围下的稳定输出控制。
　　其他应用场景还包括太阳能微逆变器、UPS不间断电源、电焊机电源模块以及各类工业自动化设备中的功率控制单元。其高可靠性和宽温工作范围也使其适用于部分汽车辅助电源系统或充电桩内部的低压辅助电源模块。总之，HH18N4R7B500凭借其综合性能优势，是多种高效率、高可靠性电源设计的理想选择。

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　　 "STW20NM50FD",
　　 "IRFP4668",
　　 "FDPF18N50",
　　 "K2179"
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