时间：2025/7/18 11:53:02
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HH18N471G101CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合在高频和高效率应用场景中使用。HH18N471G101CT通常被用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：470 V
最大栅源电压Vgs：±20 V
最大连续漏极电流Id：15 A
导通电阻Rds(on)：0.2 Ω
总功耗Ptot：250 W
工作温度范围Tj：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
HH18N471G101CT具备优异的电气性能，其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体效率。
此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在极端温度条件下保持可靠运行。
它还支持快速开关操作，从而减少开关损耗，并提升系统响应速度。
该产品采用标准的TO-247封装，便于安装和散热设计，同时具有良好的机械强度。
由于其高耐压能力和大电流承载能力，HH18N471G101CT非常适合需要高效功率处理的应用场景。
HH18N471G101CT广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级
2. 工业电机驱动器
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
4. 各类电子负载和电池管理系统
5. 高频DC-DC转换器
6. 电磁阀和继电器驱动
其高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
IRFP460, STW13NM50, FQA14N50C
