时间：2025/7/4 4:36:13
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HH18N3R3D500CT 是一款基于硅技术制造的高压 MOSFET 芯片，主要用于高电压开关和功率转换应用。该芯片采用了先进的工艺设计，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适用于工业、汽车和消费电子领域的多种场景。
这款芯片属于 N 沗道增强型 MOSFET，其核心特点是能够承受高达 500V 的漏源极电压，同时提供快速的开关性能和稳定的运行表现。由于其出色的电气特性和可靠性，HH18N3R3D500CT 广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。
最大漏源电压：500V
连续漏电流：3A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：25nC
最大功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
HH18N3R3D500CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：可承受高达 500V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 3.5Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 高可靠性：采用先进的封装技术和保护机制，确保在恶劣环境下稳定运行。
5. 宽温范围支持：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常工作，适应各种极端环境。
HH18N3R3D500CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动：为无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机提供高效的驱动方案。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. 工业控制：适用于各种工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子：满足汽车级应用对高压和高可靠性的要求。
HH18N3R3D500CT-A, HH18N3R3D500CT-B
