HH18N3R3D500CT 是一款基于硅技术制造的高压 MOSFET 芯片,主要用于高电压开关和功率转换应用。该芯片采用了先进的工艺设计,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于工业、汽车和消费电子领域的多种场景。
这款芯片属于 N 沗道增强型 MOSFET,其核心特点是能够承受高达 500V 的漏源极电压,同时提供快速的开关性能和稳定的运行表现。由于其出色的电气特性和可靠性,HH18N3R3D500CT 广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。
最大漏源电压:500V
连续漏电流:3A
导通电阻:3.5Ω
栅极电荷:25nC
最大功耗:15W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
HH18N3R3D500CT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:可承受高达 500V 的漏源电压,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 3.5Ω,有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和快速的开关速度,减少开关损耗。
4. 高可靠性:采用先进的封装技术和保护机制,确保在恶劣环境下稳定运行。
5. 宽温范围支持:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常工作,适应各种极端环境。
HH18N3R3D500CT 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动:为无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机提供高效的驱动方案。
3. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. 工业控制:适用于各种工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子:满足汽车级应用对高压和高可靠性的要求。
HH18N3R3D500CT-A, HH18N3R3D500CT-B