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HH18N3R3D500CT 发布时间 时间:2025/7/4 4:36:13 查看 阅读:8

HH18N3R3D500CT 是一款基于硅技术制造的高压 MOSFET 芯片,主要用于高电压开关和功率转换应用。该芯片采用了先进的工艺设计,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于工业、汽车和消费电子领域的多种场景。
  这款芯片属于 N 沗道增强型 MOSFET,其核心特点是能够承受高达 500V 的漏源极电压,同时提供快速的开关性能和稳定的运行表现。由于其出色的电气特性和可靠性,HH18N3R3D500CT 广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏电流:3A
  导通电阻:3.5Ω
  栅极电荷:25nC
  最大功耗:15W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

HH18N3R3D500CT 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:可承受高达 500V 的漏源电压,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 3.5Ω,有助于降低功率损耗。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和快速的开关速度,减少开关损耗。
  4. 高可靠性:采用先进的封装技术和保护机制,确保在恶劣环境下稳定运行。
  5. 宽温范围支持:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常工作,适应各种极端环境。

应用

HH18N3R3D500CT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
  2. 电机驱动:为无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机提供高效的驱动方案。
  3. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。
  4. 工业控制:适用于各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子:满足汽车级应用对高压和高可靠性的要求。

替代型号

HH18N3R3D500CT-A, HH18N3R3D500CT-B

HH18N3R3D500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.04987卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-