时间：2025/6/27 12:38:56
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HH18N390F500CT是一款基于硅基技术设计的高压功率MOSFET芯片，主要适用于高频开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式结构以提高电流密度和降低导通电阻，同时具备优异的开关特性和热稳定性，能够满足高效率、高可靠性的系统需求。
HH18N390F500CT采用N沟道增强型设计，耐压高达500V，具有低导通电阻特性，并且支持快速开关操作，适合于需要高效能量转换的场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：390mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
输入电容：1200pF
最大功耗：160W
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
HH18N390F500CT具有以下显著特点：
1. 高击穿电压（500V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻（390mΩ），有效减少传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，优化了开关时间和抗振荡能力，有助于降低电磁干扰。
4. 支持宽广的工作温度范围（-55℃至175℃），适用于恶劣环境下长期使用。
5. 先进的封装工艺提高了散热性能和机械强度，延长了器件寿命。
6. 内置ESD保护电路，增强了器件的可靠性。
HH18N390F500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动控制，例如家用电器中的直流无刷电机驱动。
3. 太阳能逆变器及不间断电源（UPS）中的功率变换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 电动车充电器及其他高压DC-DC转换器的核心元件。
IRFP460,
FDP18N50,
STP18NF50,
IXFN18N50T
