HH18N360G500CT 是一款高压功率 MOSFET,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压的特点,适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能开关的应用场景。
HH18N360G500CT 的设计旨在提供卓越的电气性能和可靠性,适用于工业及消费类电子领域中的各种电力转换应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):360V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):18A
导通电阻(RDS(on)):0.1Ω
功耗(PD):500W
工作温度范围(TJ):-55℃ to +175℃
HH18N360G500CT 具备以下特点:
1. 高耐压能力,能够承受高达 360V 的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻 (RDS(on)),有效减少传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度,降低开关损耗并提升高频应用性能。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能。
5. 强大的雪崩能量吸收能力,增强了器件在过载或短路情况下的保护功能。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装,适用于绿色电子产品设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器、充电器等。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 太阳能逆变器及不间断电源 (UPS) 系统。
4. 电动工具和家用电器中的功率控制模块。
5. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器电路。
IRFZ44N, FQP18N30C