时间：2025/7/4 19:10:48
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HH18N360G500CT 是一款高压功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特点，适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能开关的应用场景。
HH18N360G500CT 的设计旨在提供卓越的电气性能和可靠性，适用于工业及消费类电子领域中的各种电力转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：360V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：18A
导通电阻(RDS(on))：0.1Ω
功耗(PD)：500W
工作温度范围(TJ)：-55℃ to +175℃
HH18N360G500CT 具备以下特点：
1. 高耐压能力，能够承受高达 360V 的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻 (RDS(on))，有效减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并提升高频应用性能。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能。
5. 强大的雪崩能量吸收能力，增强了器件在过载或短路情况下的保护功能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装，适用于绿色电子产品设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 太阳能逆变器及不间断电源 (UPS) 系统。
4. 电动工具和家用电器中的功率控制模块。
5. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器电路。
IRFZ44N, FQP18N30C
