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HH18N360G500CT 发布时间 时间:2025/7/4 19:10:48 查看 阅读:11

HH18N360G500CT 是一款高压功率 MOSFET,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压的特点,适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能开关的应用场景。
  HH18N360G500CT 的设计旨在提供卓越的电气性能和可靠性,适用于工业及消费类电子领域中的各种电力转换应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):360V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):18A
  导通电阻(RDS(on)):0.1Ω
  功耗(PD):500W
  工作温度范围(TJ):-55℃ to +175℃

特性

HH18N360G500CT 具备以下特点:
  1. 高耐压能力,能够承受高达 360V 的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻 (RDS(on)),有效减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗并提升高频应用性能。
  4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能。
  5. 强大的雪崩能量吸收能力,增强了器件在过载或短路情况下的保护功能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装,适用于绿色电子产品设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 工业电机控制和驱动电路。
  3. 太阳能逆变器及不间断电源 (UPS) 系统。
  4. 电动工具和家用电器中的功率控制模块。
  5. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器电路。

替代型号

IRFZ44N, FQP18N30C

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HH18N360G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.14501卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容36 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-