UPD4216400LLA-A80 是由日本电气公司(NEC)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于早期的DRAM产品系列,采用4M×1位的组织结构,总容量为4兆位(Megabit),工作电压为5V,主要面向需要基本存储功能的计算机外围设备和工业控制系统应用。UPD4216400LLA-A80采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有低功耗、高可靠性和良好的稳定性,适用于较早期的PC主板、嵌入式系统以及老式通信设备等应用场景。
容量:4Mbit
组织结构:x1
工作电压:5V
访问时间:80ns
封装类型:TSOP
引脚数:20
工作温度范围:0°C至70°C
制造工艺:CMOS
数据保持电压:2V
最大工作频率:约10MHz
功耗:典型值为120mA(运行状态)
UPD4216400LLA-A80 是一款标准的DRAM芯片,具备以下主要特性:
1. 容量与结构:该芯片具有4Mbit的存储容量,采用x1位宽结构,适合需要扩展内存位宽的系统设计。其内部由多个存储单元阵列组成,每个单元由一个晶体管和一个电容器构成,能够实现高效的数据读写和存储。
2. 访问时间与速度:UPD4216400LLA-A80 的访问时间为80纳秒(ns),意味着其读取数据的速度相对较快,适用于早期的中低速系统总线设计。其最大工作频率约为10MHz,适合用于对速度要求不高的嵌入式或工控系统。
3. 电源与功耗:该芯片采用标准的5V供电电压,符合大多数早期电子系统的电源规范。其典型工作电流为120mA,最大待机电流可降至10mA以下,具有较低的静态功耗,有助于延长设备的使用寿命。
4. 封装与可靠性:该芯片采用20引脚TSOP封装,体积小、重量轻,便于在PCB板上安装和焊接。TSOP封装还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,提高了芯片在复杂环境下的可靠性。
5. 工作温度范围:UPD4216400LLA-A80 的工作温度范围为0°C至70°C,属于工业级标准温度范围,适用于大多数室内或非极端环境下的电子设备。
6. 数据保持能力:在掉电状态下,UPD4216400LLA-A80 可通过刷新电路维持数据存储,最低数据保持电压为2V,确保了数据在短暂断电情况下的安全性。
7. 控制信号:该芯片具备标准的DRAM控制信号,如行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、写使能(WE)等,兼容大多数DRAM控制器接口,便于集成到现有系统中。
UPD4216400LLA-A80 主要应用于以下领域:
1. 早期个人计算机(PC)主板:作为主存储器或扩展内存使用,支持基本的系统运行和程序执行。
2. 嵌入式控制系统:如工业自动化设备、测试仪器、监控系统等,用于存储临时数据和程序变量。
3. 老式通信设备:如调制解调器、网络交换机和早期路由器等,作为数据缓存和临时存储单元。
4. 教学实验设备:用于电子工程教学中的存储器原理实验,帮助学生理解DRAM的基本工作原理和使用方法。
5. 工业控制模块:如PLC(可编程逻辑控制器)和人机界面(HMI)设备,用于支持系统运行所需的临时数据存储。
6. 便携式电子设备:如老式手持终端、条码扫描仪等,提供基本的内存支持。
uPD4216400LLA-80C, uPD4216400LLA-80A, uPD4216400LLA-80E