型号：HH18N2R2B500LT
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　产品系列：SQJ
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　漏极电流（ID）@25°C：18 A
　　连续漏极电流（ID）@TC=100°C：12 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：2.2 Ω
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 5 V：3.0 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF @ VDS = 250 V
　　输出电容（Coss）：470 pF @ VDS = 250 V
　　反向恢复时间（trr）：47 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.6 V @ IS = 18 A
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：TO-263 (D2PAK)
　　安装类型：表面贴装

HH18N2R2B500LT采用了Vishay先进的沟槽栅极MOSFET工艺，这种技术能够显著降低器件的导通电阻，从而减少功率损耗并提高整体系统效率。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为2.2Ω，这使得它在大电流应用中表现出色，尤其适用于需要低功耗和高能效的设计场景。该器件的高耐压能力达到500V，使其可以安全地用于高压开关电路中，例如离线式开关电源、PFC电路和逆变器等。同时，其连续漏极电流可达18A（在25°C下），并且支持高达72A的脉冲电流，表明其具有很强的瞬态负载承受能力。
　　该MOSFET的栅源电压额定值为±30V，提供了足够的驱动裕度，避免因过压导致栅极氧化层击穿的风险。其阈值电压范围为3.0V至4.5V，兼容常见的逻辑电平驱动信号，可在微控制器或专用驱动IC的控制下可靠开启。输入电容（Ciss）为1300pF，在高频开关应用中有助于控制驱动损耗和开关速度之间的平衡。输出电容（Coss）较低，有助于减少关断期间的能量损失，提升转换效率。
　　器件内置的体二极管具有快速反向恢复特性（trr=47ns），这对于硬开关拓扑如反激式或正激式转换器尤为重要，可有效减少开关损耗并抑制电压尖峰。此外，该体二极管的正向导通压降为1.6V（在18A电流下），虽然相对较高，但在短时间续流过程中仍能保持良好的性能表现。TO-263（D2PAK）封装不仅提供了优良的散热路径，还支持自动化贴片生产，适用于大规模制造。整体而言，HH18N2R2B500LT是一款兼顾高性能与可靠性的中高压功率MOSFET，广泛应用于工业电源、电动工具、UPS系统及新能源设备中。

HH18N2R2B500LT因其高电压耐受能力和优异的导通特性，被广泛应用于各类电力电子系统中。典型应用包括离线式AC-DC开关电源，尤其是在反激式和正激式拓扑结构中作为主开关元件，用于实现高效的能量转换。在功率因数校正（PFC）升压电路中，该器件可用于处理较高的直流母线电压，并承担较大的连续电流，确保系统满足能效标准。此外，它也常用于DC-DC变换器模块，特别是在隔离型电源架构中作为初级侧开关，提供稳定的电压调节功能。
　　在电机驱动领域，HH18N2R2B500LT可用于中小功率的直流电机或步进电机驱动电路，配合H桥配置实现双向转速控制。由于其具备较高的脉冲电流承载能力，因此也能胜任启动电流较大的负载场景。在不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET可用于逆变器级的开关单元，将蓄电池的直流电转换为交流输出，保障关键设备的持续供电。
　　此外，该器件还可用于太阳能微型逆变器、LED恒流驱动电源、电动自行车控制器以及工业加热控制系统等场合。其宽泛的工作温度范围和高可靠性使其特别适合部署在高温或空间受限的环境中。结合适当的散热设计和驱动电路优化，HH18N2R2B500LT能够在长期运行中保持稳定的电气性能，延长整个系统的使用寿命。

IRFBC40
　　STP18N50U3
　　FQP18N50C