时间：2025/6/27 12:38:32
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HH18N272F160CT 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺，具备出色的开关性能和低导通电阻特性，适用于电源管理、无线充电、快充适配器等领域。
最大漏源电压：272V
连续漏极电流：16A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：5MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
HH18N272F160CT 拥有卓越的电气性能，能够显著降低能量损耗并提升系统效率。其关键特性包括：
1. 高击穿电压和低导通电阻，确保在高压条件下高效运行。
2. 极低的栅极电荷与输出电荷，支持高频开关操作。
3. 内置保护功能，如过流保护和热关断，提高可靠性。
4. 小型化的封装形式有助于节省电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片广泛应用于多种现代电子设备中，具体领域包括：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 快速充电器和无线充电解决方案。
3. 电机驱动及工业自动化控制。
4. 新能源汽车的车载充电器和逆变器。
5. 数据中心服务器中的高效电源模块。
HH18N250F150CT, HH18N300F200CT
