时间：2025/6/21 4:28:09
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HH18N222J500CT是一款基于硅材料的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高频率的开关应用场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，广泛用于工业电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高效能量转换的系统中。
其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，同时在电气特性和可靠性方面均达到行业领先水平。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：150nC
输入电容：3000pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-247
HH18N222J500CT的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压设计，支持高达1200V的操作环境，确保在高压应用中的可靠性和安全性。
2. 极低的导通电阻（3.5mΩ），能够显著减少功率损耗，提升效率。
3. 快速开关能力，适合高频工作场景，降低了开关损耗。
4. 具备优异的热稳定性和抗浪涌能力，能够在极端条件下保持正常运行。
5. 使用TO-247封装，提供高效的散热通道，进一步增强长期使用的稳定性。
6. 通过多项严格的测试认证，如AEC-Q101等，保证了产品的耐用性和一致性。
这款MOSFET广泛应用于多种高要求领域：
1. 工业设备中的大功率电源供应单元（PSU）。
2. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节模块。
3. 电动车和混合动力车内的电机控制器及DC/DC转换器。
4. 不间断电源（UPS）系统，保障关键设备供电的连续性。
5. 高效电机驱动电路，支持从家电到工业机械的各种负载需求。
6. 焊接设备以及其他需要精确控制电流输出的场合。
IRFP460, STW45N120K5, FGA25N120SMD
