型号：ST110S12P1V
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：11 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：44 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 18V）：1.0 Ω
　　导通电阻（RDS(on) typ @ VGS = 18V）：0.95 Ω
　　栅极电荷（Qg typ）：140 nC
　　输入电容（Ciss typ）：2600 pF
　　输出电容（Coss typ）：170 pF
　　反向恢复时间（trr typ）：45 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.7 V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 8x8 或等效表贴封装
　　热阻结到外壳（RthJC）：0.8 K/W

ST110S12P1V具备优异的电气和热性能，其核心优势在于采用了ST专有的超级结（Super Junction）结构，这种结构通过交替排列的P柱和N柱实现更高的击穿电压与更低的导通损耗之间的平衡。相较于传统平面型或沟槽型MOSFET，超级结技术显著降低了单位面积下的RDS(on)，从而在1200V高压应用中仍能保持出色的导通效率。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作中可以减少驱动损耗，并提高整体系统的转换效率。同时，其输入电容和输出电容经过优化，有助于减小EMI干扰并提升动态响应能力。由于具备快速的体二极管反向恢复特性（trr仅为45ns左右），ST110S12P1V在桥式电路或LLC谐振变换器中表现出色，可有效避免因二极管拖尾电流引起的额外损耗和电压尖峰问题。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的老化测试和高温高压栅极偏置（H3TRB）验证，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。其封装采用低热阻设计，支持双面散热，配合PCB上的大面积敷铜可实现高效的热量传导，防止局部过热导致器件失效。此外，器件还内置了过温保护机制，当结温接近上限时会自动限制电流以防止损坏。
　　ST110S12P1V符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于自动化贴片生产线。其引脚布局经过优化，减少了寄生电感，提升了抗噪声能力和开关瞬态稳定性。对于需要高功率密度和高能效的设计来说，这款MOSFET是一个极具竞争力的选择。

ST110S12P1V广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS），特别是用于服务器电源、电信整流器和工业电源模块中的PFC（功率因数校正）升压级，其高耐压和低导通损耗特性能够显著提升系统效率并满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准。
　　在可再生能源领域，该器件可用于光伏（PV）逆变器的直流侧开关单元，承担高压直流到交流的转换任务。由于其具备良好的热稳定性和长寿命特性，特别适合户外长期运行的太阳能发电系统。此外，在UPS（不间断电源）和储能系统中，ST110S12P1V也可作为主开关元件使用，支持双向能量流动控制。
　　在电动汽车充电基础设施中，该器件可用于车载OBC（车载充电机）或直流快充桩的DC-DC变换级，处理高达1200V的母线电压。其快速开关能力和低Eoss（输出电荷损失）使其在高频软开关拓扑如LLC、CLLC或移相全桥电路中表现优异。
　　其他应用还包括高端LED照明驱动电源、感应加热设备、电机驱动器以及高电压脉冲电源系统。凭借其高可靠性与宽温度工作范围，该器件也适用于严苛环境下的军用和轨道交通电子系统。

ST110N12P1V
　　STY110S12P1V
　　110N12P1F