时间：2025/3/25 9:56:08
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HH18N221G500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效和高功率密度的应用场景。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和热管理能力。其主要应用于电源转换、通信设备以及工业驱动系统等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：超过2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HH18N221G500CT具有非常低的导通电阻和栅极电荷，从而实现了高效的功率转换。其高开关频率使得设计更小的磁性元件成为可能，进而降低整体系统的体积和重量。
该器件还具备出色的热性能，确保在高温环境下依然能够稳定运行。此外，由于采用了GaN材料，它在高频应用中表现出更低的损耗，非常适合对效率要求极高的场合。
该芯片广泛用于服务器电源、电动汽车车载充电器、光伏逆变器、无线充电设备以及其他需要高性能功率转换的领域。同时，它也适用于电信基础设施中的DC-DC转换器以及各种工业自动化控制设备。
HH18N221G300CT
HH18N221G400CT
