时间：2025/8/9 1:33:12
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2SK3501 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关和功率放大应用。这款MOSFET设计用于高效率、低导通损耗和快速开关性能，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、电机驱动和高功率LED驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：150A
最大漏-源电压：60V
最大栅-源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值）
栅极电荷：180nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
2SK3501具备低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中可以最大限度地减少功率损耗和热量产生。其低Rds(on)特性使得该器件适用于高效电源系统设计。
此外，2SK3501具有高雪崩能量耐受能力，使其在突发性过电压条件下仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。
该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适合高功率密度应用。
器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的MOSFET驱动电路，简化了设计和控制电路的复杂度。
由于其快速开关特性和低栅极电荷，2SK3501适用于高频开关环境，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
2SK3501广泛应用于各类电源系统中，包括但不限于：服务器电源、通信设备电源、不间断电源（UPS）、电动工具、电机驱动器、DC-DC转换器以及高功率LED照明驱动器。
此外，它也常用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及太阳能逆变器等高功率应用中，提供高效、可靠的功率开关解决方案。
SiHF150N60E、IXFH150N60Q、IRFP4468PBF
