时间：2025/7/11 17:35:13
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HH18N221F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，在降低导通电阻的同时提高了开关速度，适用于电源管理、电机驱动、工业控制以及消费类电子设备等领域。
该芯片具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，能够显著提高系统的效率并减少功率损耗。其封装形式通常为 TO-220 或类似散热性能良好的封装，便于散热处理。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容：1500pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
HH18N221F500CT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力（500V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，支持高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 高可靠性设计，具备出色的耐用性和抗浪涌能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于多种现代电子系统需求。
HH18N221F500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制，例如无刷直流电机驱动。
3. 工业逆变器和 UPS 系统。
4. LED 驱动电路中的功率控制。
5. 各种家电产品中的高效功率管理模块。
6. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
IRFP260N, STP18NF50, FQA18N50C
