时间：2025/7/10 12:39:24
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HH18N221F101CT 是一款基于硅材料制造的高压功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），广泛应用于高电压和大电流场景。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，主要针对开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域设计。
其封装形式为 TO-247，具备出色的散热性能和可靠性，同时支持高频工作模式以提高效率。通过优化的芯片结构和先进的制造工艺，HH18N221F101CT 在导通电阻、开关速度和耐压能力方面表现优异。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：1.3Ω
栅极电荷：65nC
输入电容：2000pF
总功耗：200W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-65℃ 至 +175℃
HH18N221F101CT 具备以下显著特点：
1. 高耐压能力：最大漏源电压可达 1200V，适用于高电压环境。
2. 低导通电阻：在额定条件下，典型导通电阻仅为 1.3Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：具有较低的栅极电荷和快速的开关速度，减少开关损耗并提升效率。
4. 高可靠性：采用先进的制造工艺和严格的测试流程，确保长期稳定运行。
5. 散热性能优越：TO-247 封装提供良好的散热路径，适合高功率应用场景。
6. 广泛的工作温度范围：能够适应极端温度条件下的操作需求。
HH18N221F101CT 的典型应用场景包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动：控制和调节工业设备中的电机运行。
3. 太阳能逆变器：作为核心功率器件，实现直流到交流的高效转换。
4. 电动汽车充电桩：用于高性能充电模块，支持快速充电功能。
5. 电动工具：提供高效率的动力输出和稳定的电压控制。
6. 照明系统：如 LED 照明驱动电源，满足节能和环保的要求。
HH18N221F100CT, CSD18536KTT, IRFP460
