芯片类型：DRAM
　　容量：1M x 4位（4Mbit）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作电压：5V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：0°C 至 70°C（商业级）
　　引脚数量：32
　　数据总线宽度：4位
　　封装尺寸：54mm x 20.6mm x 1.2mm（典型值）
　　最大功耗：1.5W
　　时钟频率：无（异步DRAM）

HY514400AT-70 是一款高性能的异步DRAM芯片，具备低功耗、高稳定性和良好的数据保持能力。其异步操作模式意味着不需要同步时钟信号，这使得它在设计上更为灵活，适用于多种非同步系统架构。该芯片采用了先进的CMOS技术，能够在保证高速数据访问的同时，降低整体功耗。此外，HY514400AT-70 还具备较强的抗干扰能力和较高的数据传输可靠性，适合在复杂的电磁环境中使用。由于其TSOP封装设计，芯片在PCB布局时占用空间较小，有助于实现紧凑型设备的设计。该芯片的存储容量为4Mbit，适合用于需要中等存储容量的应用，如缓存、帧缓冲器或临时数据存储等。
　　在电气特性方面，HY514400AT-70 支持标准的5V电源供电，兼容TTL电平输入/输出，这使得它可以方便地与多种逻辑电路和控制器接口连接。其访问时间仅为70ns，能够满足大多数中高速系统的需求。此外，芯片还具备自动刷新和自刷新功能，可以有效延长数据的存储时间并降低系统功耗。HY514400AT-70 的工作温度范围为0°C至70°C，符合商业级应用的标准，适用于多数室内环境下的电子设备。

HY514400AT-70 主要应用于需要中等容量存储的电子设备中。其典型应用包括但不限于工业控制设备（如PLC、人机界面等）、消费类电子产品（如电视、音响设备等）、通信模块（如调制解调器、网络交换设备等）、视频采集与显示设备（如视频采集卡、LCD控制器等）以及嵌入式系统中的临时数据缓存。由于其异步接口和5V电源兼容性，该芯片特别适合用于与传统处理器或控制器配合使用的场景，如8位或16位微处理器系统中的主存储器或高速缓存。此外，该芯片也可用于图像处理设备中的帧缓冲器，以提高图形数据的处理效率。

HY514400AT-60, HY514400AT-10, MT5164A-70J