时间：2025/7/3 9:14:15
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HH18N220J101CT 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。HH18N220J101CT 的最大漏源电压为 200V，适合在高电压环境下工作。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.4A
导通电阻（典型值）：0.35Ω
栅极电荷：27nC
开关速度：快速开关
封装类型：TO-252
HH18N220J101CT 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻设计可以有效减少功率损耗。
2. 高电流承载能力使其能够胜任各种大功率应用场合。
3. 快速开关性能确保其在高频开关电路中的高效运行。
4. 采用 TO-252 封装，便于安装和散热。
5. 耐用性强，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
6. 可靠性高，符合工业级标准。
HH18N220J101CT 常见的应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
3. 各种负载切换和保护电路。
4. LED 照明系统的驱动电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N, FQP30N06L
