类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：400mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　频率响应：250MHz（典型值）

2SD669AWC的主要特性包括优异的高频响应、低噪声系数和较高的电流增益。其高频特性使其适用于射频放大器和中间频率放大器的设计。此外，晶体管的低噪声特性有助于在信号接收和处理电路中实现更高的信噪比，提升整体系统性能。
　　该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其小型封装设计不仅节省空间，还方便自动化装配，适用于现代电子产品对小型化和高密度电路布局的需求。
　　另外，2SD669AWC的电流增益范围较宽（110-800），可以根据具体应用选择不同档位的产品，满足不同电路设计的需求。这种灵活性使得该晶体管在多种应用场景中都能发挥良好的性能。

2SD669AWC广泛应用于高频电子电路中，如射频放大器、中间频率放大器和信号处理电路。它特别适合用于无线通信设备中的射频前端模块，以提升信号的接收灵敏度和传输效率。此外，该晶体管还可用于音频放大电路、开关电源以及各类高频振荡器设计。
　　在消费电子领域，2SD669AWC可用于无线耳机、蓝牙模块和Wi-Fi路由器等设备中的射频信号放大。在工业控制领域，它可用于传感器信号放大和高频信号处理电路。同时，由于其良好的热稳定性和可靠性，该晶体管也常用于汽车电子系统和自动化控制设备中。

2SD669AWC的替代型号包括2SD669AKC、2SC2412和2SC3326。这些晶体管具有相似的电气特性和封装形式，可以在设计中作为备选方案使用。