时间：2025/6/18 11:38:17
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HH18N220F500CT 是一款高压 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
该型号的 HH 系列 MOSFET 以高性能著称，其额定电压为 220V，持续漏极电流可达 500A，适用于高功率应用场合。
最大漏源电压：220V
最大连续漏极电流：500A
最大脉冲漏极电流：1000A
栅源开启电压：4V
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
总功耗：150W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：CT（定制化模块封装）
HH18N220F500CT 的主要特性包括：
1. 高电压耐受能力，最高可承受 220V 的漏源电压，适合高压环境下的使用。
2. 极低的导通电阻（1.5mΩ 典型值），可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
3. 快速开关性能，能够适应高频工作条件，减少开关损耗。
4. 内置保护功能，例如过流保护和热关断功能，提升了器件的可靠性和使用寿命。
5. 封装形式采用定制化模块封装（CT），便于集成到复杂的电力电子系统中。
6. 宽温度范围支持（-55℃ 至 +175℃），使其能够在极端环境下稳定运行。
HH18N220F500CT 常用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如不间断电源（UPS）、适配器和充电器等。
2. 电机驱动和控制，例如工业伺服驱动器、电动车驱动系统。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 脉宽调制（PWM）控制器，用于高效功率调节。
5. 各种需要大电流和高电压支持的工业及消费类电子设备。
HH18N220F400CT, IRFP260N, STP50NF20
