时间：2025/6/22 14:28:37
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HH18N1R3B500CT是一款高性能的MOSFET晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，广泛应用于各种电力电子设备中。
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-220
漏源极电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：18A
栅极阈值电压(Vgs(th))：3V~4V
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
HH18N1R3B500CT是一款高度可靠的功率MOSFET器件，具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 高额定漏源极电压（500V），能够承受较高的电压环境。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 内置ESD保护电路，提高了器件的鲁棒性。
5. 封装形式为标准TO-220，便于散热设计和安装。
6. 工作温度范围宽广，适用于极端温度条件下的应用。
7. 可靠性高，适合长时间稳定运行。
该器件主要应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)，用于AC-DC或DC-DC转换器中的开关元件。
2. 电机驱动控制，作为驱动电路中的功率开关。
3. 逆变器设计，用于太阳能逆变器或其他能量转换系统。
4. 负载开关，在汽车电子或工业控制系统中实现负载管理。
5. 电池管理系统(BMS)，用作保护和切换功能的关键组件。
6. 各种高频功率变换电路，例如PFC（功率因数校正）电路。
IRFP460, STP18NF50, FQA18N50C
