时间：2025/6/17 18:33:54
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HH18N1R2C500CT是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适合高频和高效功率转换应用。这种晶体管通常用于工业、通信和消费类电子产品的电源管理解决方案中。
其封装形式为行业标准TO-247-3，便于设计和集成到现有的电路板布局中。
额定电压：650V
额定电流：2A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：20nC
最大工作结温：175℃
封装类型：TO-247-3
HH18N1R2C500CT的主要特点是采用了先进的氮化镓半导体材料，与传统的硅基MOSFET相比，具有更低的寄生电容和更快的开关速度。这使得它在硬开关和软开关拓扑中均表现出优异的效率。
此外，该器件还具备较低的热阻和优秀的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性和寿命。由于其快速开关能力，HH18N1R2C500CT非常适合应用于高频DC-DC转换器、PFC升压变换器以及无线充电等场景。
同时，其坚固的设计允许在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现，满足各种严苛环境下的使用需求。
HH18N1R2C500CT广泛应用于需要高效功率转换的场合，例如服务器电源、电信设备电源、电动汽车车载充电器、太阳能逆变器以及USB-PD快充适配器等。
此外，由于其高频特性，该器件还可用于音频放大器中的D类功放模块，提供更高质量的声音输出。在工业自动化领域，HH18N1R2C500CT也能用作电机驱动器的核心元件，实现精确控制和高效能量传输。
HNG18065T2G2,
GAN063-650WSB,
TP65H018G4L
