时间：2025/3/25 9:59:13
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HH18N151G101CT 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，非常适合用于电源管理、无线充电、快充适配器以及其他高效能转换场景。
HH18N151G101CT 的设计优化了能量损耗并支持更高的工作频率，使其成为传统硅基 MOSFET 的高性能替代品。其封装形式为表面贴装型，便于自动化生产和高效散热。
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：65nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装：TO-247
1. 高效率：得益于低导通电阻和快速开关特性，可显著降低传导和开关损耗。
2. 高频能力：支持高达 MHz 级别的开关频率，能够减少磁性元件的尺寸和系统体积。
3. 热稳定性：在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。
4. 强大的耐压能力：最大漏源电压为 650V，适合多种高压应用场景。
5. 小型化设计：通过先进的封装技术，在保证性能的同时减小了整体占用空间。
6. 易于驱动：兼容标准逻辑电平，简化了电路设计。
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 快速充电器：支持更高效率和更小尺寸的快充方案。
3. 电机驱动：提供高效的功率控制以支持各类电机应用。
4. 无线充电设备：提高能量传输效率。
5. 新能源汽车中的车载充电器（OBC）和 DC/DC 转换模块。
6. 工业电源和逆变器：适用于需要高效率和高可靠性的工业场景。
HH18N150G101CT, HH18N152G101CT
