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HH18N151G101CT 发布时间 时间:2025/3/25 9:59:13 查看 阅读:11

HH18N151G101CT 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频和高功率应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,非常适合用于电源管理、无线充电、快充适配器以及其他高效能转换场景。
  HH18N151G101CT 的设计优化了能量损耗并支持更高的工作频率,使其成为传统硅基 MOSFET 的高性能替代品。其封装形式为表面贴装型,便于自动化生产和高效散热。

参数

类型:增强型 GaN HEMT
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:65nC
  反向恢复时间:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装:TO-247

特性

1. 高效率:得益于低导通电阻和快速开关特性,可显著降低传导和开关损耗。
  2. 高频能力:支持高达 MHz 级别的开关频率,能够减少磁性元件的尺寸和系统体积。
  3. 热稳定性:在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。
  4. 强大的耐压能力:最大漏源电压为 650V,适合多种高压应用场景。
  5. 小型化设计:通过先进的封装技术,在保证性能的同时减小了整体占用空间。
  6. 易于驱动:兼容标准逻辑电平,简化了电路设计。

应用

1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 快速充电器:支持更高效率和更小尺寸的快充方案。
  3. 电机驱动:提供高效的功率控制以支持各类电机应用。
  4. 无线充电设备:提高能量传输效率。
  5. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换模块。
  6. 工业电源和逆变器:适用于需要高效率和高可靠性的工业场景。

替代型号

HH18N150G101CT, HH18N152G101CT

HH18N151G101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.13119卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-