HH18N151G101CT 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频和高功率应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,非常适合用于电源管理、无线充电、快充适配器以及其他高效能转换场景。
HH18N151G101CT 的设计优化了能量损耗并支持更高的工作频率,使其成为传统硅基 MOSFET 的高性能替代品。其封装形式为表面贴装型,便于自动化生产和高效散热。
类型:增强型 GaN HEMT
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:65nC
反向恢复时间:10ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装:TO-247
1. 高效率:得益于低导通电阻和快速开关特性,可显著降低传导和开关损耗。
2. 高频能力:支持高达 MHz 级别的开关频率,能够减少磁性元件的尺寸和系统体积。
3. 热稳定性:在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。
4. 强大的耐压能力:最大漏源电压为 650V,适合多种高压应用场景。
5. 小型化设计:通过先进的封装技术,在保证性能的同时减小了整体占用空间。
6. 易于驱动:兼容标准逻辑电平,简化了电路设计。
1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 快速充电器:支持更高效率和更小尺寸的快充方案。
3. 电机驱动:提供高效的功率控制以支持各类电机应用。
4. 无线充电设备:提高能量传输效率。
5. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换模块。
6. 工业电源和逆变器:适用于需要高效率和高可靠性的工业场景。
HH18N150G101CT, HH18N152G101CT