时间：2025/10/27 16:38:56
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ST280S04P0V是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及工业控制等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，使其在高频率开关应用中表现出优异的效率。ST280S04P0V属于超级结MOSFET系列，专为高电压、大电流应用场景设计，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能表现。
该器件封装形式通常为PowerFLAT或类似的高效散热封装，有助于提升功率密度并降低系统整体热阻。其引脚布局经过优化，便于PCB布线并减少寄生电感，从而进一步提升开关性能和电磁兼容性（EMC）。ST280S04P0V符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性认证，适用于汽车电子、新能源汽车车载充电机（OBC）、充电桩以及工业电源模块等对安全性和长期稳定性要求极高的应用场合。
型号：ST280S04P0V
制造商：STMicroelectronics
产品类型：功率MOSFET
技术类型：超级结MOSFET
漏源电压（Vds）：800 V
连续漏极电流（Id）@25°C：30 A
脉冲漏极电流（Idm）：120 A
导通电阻（Rds(on)）@max：40 mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V
栅极电荷（Qg）：120 nC
输入电容（Ciss）：4500 pF
输出电容（Coss）：180 pF
反向恢复时间（trr）：35 ns
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
封装类型：PowerFLAT 8x8
ST280S04P0V具备卓越的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与高电压耐受能力的完美结合。该器件的Rds(on)典型值仅为40mΩ，在800V的高电压平台上显著降低了导通损耗，提升了系统整体能效。这使得它特别适合用于PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器以及反激式电源拓扑中，能够有效减少发热，延长系统寿命。此外，得益于超级结结构的设计，该MOSFET在高dv/dt条件下仍能保持良好的开关稳定性，减少了误触发的风险。
该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作下所需的驱动功率更小，有利于使用低成本的驱动IC实现快速开关动作。同时，较低的输入电容也提升了系统的响应速度和动态性能。其反向恢复时间短，体二极管性能优良，可在硬开关和部分软开关应用中减少续流过程中的能量损耗和电压尖峰，提高系统的EMI表现。
在可靠性方面，ST280S04P0V经过严格的生产测试流程，具备优异的抗雪崩能力和重复雪崩额定值，能够在突发过压或负载突变情况下保护自身及周边电路。器件还具备高浪涌电流承受能力，适用于启动电流较大的电机驱动或电源系统。此外，其封装采用先进焊接工艺和铜夹连接技术，增强了电流传输能力和热传导效率，确保在高功率密度设计中依然保持低温运行。
ST280S04P0V广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于服务器电源、通信电源和工业SMPS（开关模式电源）中的主开关或同步整流器件。在新能源应用中，该器件被大量用于光伏逆变器的DC-DC升压级和储能系统的能量转换模块，凭借其高耐压和低损耗特性，有效提升能源转换效率。
在汽车电子方面，ST280S04P0V适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及充电桩内部的功率级设计。随着电动汽车对续航里程和充电效率的要求不断提高，该类高性能MOSFET成为实现高效电能转换的关键元件。其通过AEC-Q101认证，确保在宽温度范围和振动、潮湿等复杂环境中稳定运行。
此外，该器件也可用于空调压缩机驱动、UPS不间断电源、焊机电源以及高端消费类电器中的变频控制系统。在这些应用中，ST280S04P0V不仅提高了系统效率，还帮助缩小散热器体积，实现设备小型化和轻量化。由于其出色的EMI性能，也有助于满足国际电磁兼容标准，如IEC 61000系列，适用于出口型电子产品设计。
STW280N4F8AG
STF280N4F8
STP280N4F8
